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纳微推出第五代碳化硅沟槽辅助平面MOSFET技术

据外媒报道,GaNFast™氮化镓(GaN)和GeneSiC™碳化硅(SiC)功率半导体公司纳微半导体(Navitas Semiconductor)宣布推出其第五代GeneSiC技术平台。该高压(HV)碳化硅沟槽辅助平面(Trench-Assisted Planar,TAP)MOSFET技术较前几代产品实现了显著的技术飞跃,并将提供1200伏MOSFET产品线。它具备领先的性能、稳定性和质量,能够为电动汽车、数据中心和可再生能源系统等高功率应用提供更快、更低温、更可靠的功率转换。

第五代MOSFET平台采用纳微迄今为止最紧凑的TAP架构,结合了平面栅极的坚固性和源区沟槽结构带来的同类最佳性能指标,同时提高了高压电力电子器件的效率和使用寿命可靠性。

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