据外媒报道，三星电子承诺投资170亿美元生产下一代工厂，以在日益增长的片上系统（SoC）市场与台积电和英特尔竞争，未来，美国将替代中国成为三星电子的主要海外芯片制造基地。
5月21日，三星电子副主席和装置解决方案负责人Kim Ki-nam证实，将向美国投资170亿美元。Ki-nam未透露新工厂的具体地址，但大多数人认为，新厂将位于其得州奥斯汀工厂的旁边。三星电子在韩国总统文在寅访问美国之际，加入到其他韩国企业的步伐中，向美国进行了投资。
奥斯汀芯片厂建于1996年，生产升态随机存取存储器（DRAM）和其他三星电子设计的储存芯片，但在2005年转型为无厂半导体公司（fabless chipmakers）。该公司在过去24年中总共投资了170亿美元。
一个价值170亿美元的新工厂可以使这家芯片工厂成为三星在韩国之外最大的工厂，超过在中国的业务规模。三星2012年在中国的西安建设了一个专业生产NAND闪速存储器的工厂，共花费258亿美元，下半年第二家工厂建设完工。
三星电子可能在美国新工厂采用5至3纳米加工技术，旨在2023年开始商业生产，并挑战台积电在亚利桑那州350亿美元的工厂，此工厂预计也将采用5至3纳米加工技术。两家公司是唯一的两家可以从如此微小的纳米水平生产晶圆的公司。
三星电子是全球最大的DRAM和NAND存储芯片供应商，去年分别占全球销量总额的43%和33%。在更大的代工芯片生产市场上，三星电子位居第二，台积电遥遥领先于该公司，覆盖了全球逾50%的芯片订单。
另一家韩国芯片巨头SK海力士宣布，将在美国硅谷建设一个NAND芯片和人工智能技术研发中心，价值10亿美元。SK海力士在美国没有芯片工厂，但该公司正以90亿美元从美国芯片制造商英特尔收购快闪记忆体业务，预计2025年完成收购。
5月24日，三星电子收盘价下跌0.5%至每股79,700韩元（约70.71美元），SK海力士下跌2.45%至每股119,500。
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