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索尼和imec联合推出高密度背面连接模块 助力下一代3D芯片集成

据外媒报道,先进半导体技术研究与创新中心imec与索尼半导体解决方案公司(Sony)联合展示了一种用于高密度背面互连的新型集成模块——这是3D堆叠和背面功能化技术的关键组件。

该模块基于自对准局部背面介质隔离工艺构建,实现了低电阻、低漏电且高密度的正面至背面硅通孔(TSV)互连,其叠层对准窗口(overlay window)较传统TSV方案扩大了3倍。这种局部BDI TSV方案是一种集成方法,将为包括逻辑和存储器件在内的多种应用场景开启全新的3D集成方案。

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