据外媒报道，为超高效、高性能和高压应用提供优质碳化硅（SiC）解决方案的设计商、开发商和全球供应商SemiQ Inc宣布推出一系列1700 V SiC MOSFET，旨在满足中压高功率转换应用的需求，例如光伏和风能逆变器、储能、电动汽车和路边充电、不间断电源以及感应加热/焊接。
该高速QSiC™ 1700 V开关平面D-MOSFET可实现更紧凑的大规模系统设计，具有更高的功率密度和更低的系统成本。它们具有可靠的体二极管，能够在高达175℃的温度下工作，所有组件的测试电压均超过1900 V，且UIL雪崩测试电压为600 mJ。
该QSiC 1700 V器件既有裸片版本（GP2T030A170X），也有4引脚TO-247-4L封装分立器件版本（GP2T030A170H），带有漏极、源极、驱动器源极和栅极引脚。这两种器件也都提供符合AEC-Q101汽车标准的版本（AS2T030A170X和AS2T030A170H）。
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