本期全球前沿汽车技术动向如下,如需更具体的内容与分析解读,欢迎订购盖世汽车研究院《全球前瞻技术情报》。智能网联TouchNetix推出适用于汽车的触控与压力感应控制器AX24ATouchNetix扩展其aXiom产品组合,推出AX24A触控和压力感应控制器,面向工业、汽车和娱乐应用。该产品支持触控与压力输入,并可为设...

2月26日,东芝电子欧洲分公司(Toshiba Electronics Europe,东芝)推出二极管控制器TPD7110F,旨在为汽车系统提供安全的电源控制和灵活的设计。其目标应用包括车身控制模块(BCM)、电池管理系统(BMS)和抬头显示器(HUD)。图片来源: 东芝TPD7110F具有反极性保护功能,可防止因电池连接错误造成的损坏。此外,...

10月14日,汽车解决方案创新者indie Semiconductor(indie)在其光子事业部(Photonics BU)产品线中推出全新的可见光分布式反馈(Visible Distributed Feedback,DFB)氮化镓(GaN)激光二极管,该二极管可支持下一代量子计算、各种汽车应用,包括激光雷达(LiDAR)和传感,以及工业拉曼应用,其超稳定的亚兆赫线宽...

氧化镓(Ga₂O₃)是一种半导体材料,可以使电子设备比目前的硅基技术更加节能。电子二极管需要两种类型的半导体层才能正常工作: 负型(n型)层和正型(p型)层。科学家们能够可靠地生产n型氧化镓层,但难以制造稳定的p型层,因为氧化镓的晶体结构会自然地抵抗这些层所需的原子。这种限制导致氧化镓半导体性能...

据外媒报道,模拟/混合信号及专用芯片代工厂X-FAB Silicon Foundries SE在其180nm XH018半导体工艺中推出一种新的隔离等级。该新隔离等级旨在支持更紧凑、更高效的单光子雪崩二极管(SPAD)实现,可实现更紧密的功能集成、更高的像素密度和更高的填充因子,从而缩小芯片面积。图片来源: X-FABSPAD是众多新...

半导体制造商Nexperia(安世半导体)近日宣布,计划投资2亿美元(约合1.84亿欧元)研发下一代宽禁带半导体产品(WBG),例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时,晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。图片来源: 安世半导体据悉,为了满足对高效功率半导体日益增长的长期需求,...

由于在3D人脸识别、增强/虚拟现实、机器人和自动驾驶汽车等人工智能驱动技术中的潜在应用,市场对近红外(NIR)和短波长红外(SWIR)光谱对高像素数、低成本焦平面阵列的需求激增。传统的短波红外光电二极管依赖于晶体锗(Ge)或砷化铟镓(InGaAs),但其存在暗电流高和制造工艺复杂等局限性。有机半导体的出现...

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称"SBD")"YQ系列"。二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是沟槽MOS结构的SBD,其VF低于平面结构的SBD,因此可以在整流...

据外媒报道,阿尔法和欧米伽半导体公司(Alpha and Omega Semiconductor,AOS)宣布推出两款αMOS5™ 600V FRD超结MOSFET。αMOS5™是AOS经过市场和应用验证的高压MOSFET平台,旨在满足服务器、工作站、电信整流器、太阳能逆变器、电动汽车充电、电机驱动器和工业电力应用的高效率和高密度需求。(图片来源...

8月1日,基础半导体专家Nexperia宣布扩展其超低钳位和超低电容静电放电(ESD)保护二极管产品组合。该产品组合旨在保护USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS等高速数据线以及汽车A/V监视器、显示器和摄像头。此外,该产品组合还旨在解决未来高速视频链路以及开放技术联盟(OPEN Alliance)MGbit以太网应用。

全球知半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)为满足车载设备、工业设备和消费电子设备等各种应用中保护电路和开关电路小型化需求,推出了PMDE封装(2.5mm×1.3mm)产品,此次,又在产品阵容中新增14款机型。从车载设备到工业设备和消费电子设备的广泛应用中,二极管被广泛用于电路整流、保护和开关用途,为了...

2022年1月24日,盖世汽车了解到,湖南长沙的中国第一条碳化硅产业链垂直整合制造平台成功制造出三安碳化硅二极管,并完成客户可靠性验证。据了解,去年中旬刚刚完成为期一年建设并投产的湖南三安项目在11月份顺利投产。而这次量产下线也标志着该生产线正式进入全速发展的新阶段。令人瞩目的是,三安的650...

据外媒报道,半导体专家Nexperia宣布推出业界首款A-selection齐纳二极管系列(Zener diodes): BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)。与B(±2%)和C(±5%)版本相比,全新系列的容差仅为±1%,可提供更高精度的电压基准。为满足移动、便携式/可穿戴、汽车和工业应用不断增长的需求,并符合日益严苛的监管要...

据外媒报道,半导体专家Nexperia宣布推出650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管,进入高功率碳化硅二极管市场。Nexperia是高效功率氮化镓(GaN)FET值得信赖的供应商,此次新品推出是该公司的一项战略举措, 以扩展其高压宽带隙半导体器件产品。(图片来源: Nexperia)Nexperia的首款SiC肖特基二极管具有650 V...

据外媒报道,英飞凌(Infineon)和罗伯特·博世公司(Robert Bosch GmbH)推出一款超低损耗二极管,可用于轻型汽车发电机。与传统电压整流方法相比,这种有源整流二极管(active rectifier diode)可将发电机的效率提高达8%。(图片来源: 英飞凌公司)这种有源整流二极管,可以直接替代目前使用的标准二极管,用于...

8月11日,Vishay Intertechnology公司(威世)宣布推出一款新型双向非对称(BiAs)单线ESD保护二极管VCUT0714BHD1。该二极管采用紧凑的新型DFN1006-2A封装,并具有侧面可湿端子。与SOT封装解决方案相比,该方案更节省空间,并能提供低电容和低漏电流,从而保护高速数据线免受瞬态电压信号的影响。(图片来源: V...

近年来,在扫地机器人、AGV和自动驾驶汽车等需要自动化工作的广泛应用中,可以准确测量距离和识别空间的LiDAR日益普及。在这种背景下,为了"更远"、"更准确"以及"更低功耗"地检测到信息,对提高作为光源的激光二极管的性能提出了更高要求。ROHM已经拥有实现了更窄的激光线宽的自有专利技术,有助于LiDAR支...

7月19日,半导体制造商罗姆(ROHM)宣布推出集成650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的Hybrid IGBT(混合型IGBT),即RGWxx65C系列(包括RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),并符合汽车可靠性标准AEC-Q101。新产品适用于处理大功率的汽车和工业应用,例如光伏电源调节器、车载充电器以及电动和电气化...

据外媒报道,美国电源集成公司(Power Integrations)宣布,推出600V 12AQspeed二极管,提供业界最低的硅二极管反向恢复电荷(Qrr)性能。在25°C时,Qrr仅为14nC,提高了车载充电器功率因数校正(PFC)阶段的效率,并显著改善PFC MOSFET的热性能。该QH12TZ600Q符合AEC-Q101标准,可提供与碳化硅(SIC)器件相同的低...

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT(Hybrid IGBT)"RGWxx65C系列"(RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),且均符合汽车电子产品可靠性标准"AEC-Q101*1"。该产品适用于以电气化车辆为首的电动汽车(xEV)中的车载充电器和DC/DC转换器、以...