受制于硅基IGBT的材料极限,目前电动汽车的高压系统普遍采用的是400V电压平台。如果想要将电压平台从400V提升到800V甚至更高的水平,进而提高充电功率、缩短充电时间,就必须要寻找硅基IGBT的替代方案。SiC功率器件正是在这种背景下被推上风口的。相较于传统的硅基材料,SiC由于具备耐高压、耐高温、高频...