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新能源市场需求火热,巨头扎堆GaN

近日,欧洲确立了一项高达6000万欧元(约合人民币4.55亿元)的氮化镓(GaN)科研项目,旨在建立从功率芯片到模块的完整供应能力。除了牵头人英飞凌,另有其45家合作伙伴参与其中。毫无疑问,这项规模大且投入高的GaN项目,凸显了英飞凌加码布局三代半的决心。某种程度上,这也将成为欧洲提高芯片制造份额、打造...

特斯拉大砍SiC 英飞凌重押GaN 替补上位?

特斯拉(Tesla)下一代汽车平台削减75%碳化硅(SiC)用量的一纸宣言,直接激起发展如日中天的碳化硅行业千层浪的同时,也"扰乱"第三代半导体的前进节奏。官宣论断板上钉钉,碳化硅前景似乎被打问号,替代方案何解?与其并驾齐驱的另一第三代半导体代表材料氮化镓(GaN)的上车机会点又有多远也被推进热议中心。...

特斯拉/比亚迪/蔚来/小鹏都用上了,「碳化硅」年内爆发?

"2025年罗姆碳化硅(SiC)器件产能预计会提升到2021年的6倍,2030年会提升到2021年的25倍。"在日前举办的媒体交流会上,罗姆半导体(上海)有限公司技术中心副总经理周劲透露了这一规划。罗姆碳化硅器件产能计划;图片来源: 罗姆他指出,面对市场急剧增长的需求,近两年碳化硅器件会出现短缺的情况,罗姆因此...

2022年大事记丨理想汽车:理想ONE退出历史舞台,L9、L8陆续上市

2022年,理想汽车在产品层面持续布局,理想L8对理想ONE顺利实现了换代升级,在更高级别市场,理想还上市并交付了旗舰级SUV理想L9。在动荡的一年中,理想还启动了零部件领域布局,其在苏州建设了功率半导体研发及生产基地,在常州建设了理想汽车零部件产业园。近日,盖世汽车针对重点车企及零部件企业进行年终...

干货辩论 车企要将核心技术掌握在手?

"辩论"是全球华人汽车精英联合年会暨"中国拥抱世界"汽车产业创新论坛的特色标签。11月25日,本届论坛就智能电动汽车时代核心零部件的战略选择话题展开深入剖析与充分探讨,旨在帮助处于困惑中的企业与人才拨开迷雾,认准目标,做出最适合的抉择。本次专题辩论由蔚来汽车执行副总裁兼全球质量委员会主席沈...

造车新势力的上半年,仅仅是结束了淘汰赛

今年是造车新势力成立以来的第七、第八年 ,转眼一整年又过了一半。目前来看,造车新势力常态化披露月交付量的仅有5家,淘汰赛已告一段落。但如零跑汽车创始人朱江明日前所言,月销过万也许仅仅是结束了淘汰赛,相当于拿到了新能源汽车赛道初赛的入场券,而随着新能源汽车渗透率提升,新势力后续面临的竞争...

小智一周要闻 | 小米汽车新专利曝光;深圳立法支持L3自动驾驶上路

本周智能驾驶领域大事如下: 小米汽车三项自动驾驶领域专利曝光近日,小米汽车科技有限公司再公开三项自动驾驶领域相关专利,包括"图像处理方法和装置、车辆、可读存储介质专利","道路定位方法、装置、设备、车辆及存储介质",以及"车辆控制方法、装置、介质、芯片、电子设备及车辆"。截至目前,小米汽车...

理想功率半导体研发及生产基地落户苏州

日前,理想汽车功率半导体研发及生产基地正式落户江苏省苏州高新区。该项目将于2022年6月中旬启动厂房建设,年内竣工后进入设备装调,预计2023年5月启动样品试制,2024年正式投产后,将逐步形成年产240万只半桥生产能力。据悉,此次落户的理想汽车功率半导体研发及生产基地是理想汽车自研核心部件的战略产...

布局碳化硅,理想汽车功率半导体研发及生产基地落户苏州

近日,苏州高新区举行重大项目签约仪式,涉及集成电路重点项目、外资重大项目、总部项目三类共52个项目,总投资约337亿元。盖世汽车注意到,此次签约的集成电路重点项目中包括理想汽车功率半导体研发及生产基地。理想汽车功率半导体研发及生产基地项目签约;图片来源: 苏高新科技据苏州高新区科技招商中...

车市创10年同期新低,5只整车股却逆势涨停

5月11日,中汽协发布最新数据显示,4月汽车产销分别完成120.5万辆和118.1万辆,环比分别下降46.2%和47.1%,同比分别下降46.1%和47.6%,为近十年以来同期月度新低。然而,5月11日A股市场,整车企业、动力电池、锂矿、汽车芯片等汽车产业链股价集体暴涨。盘中,长城汽车、长安汽车、小康股份、比亚迪和江淮汽车...

联手三安 理想汽车布局碳化硅芯片研发

2月23日,有媒体称: 国家市场监督管理总局反垄断司的经营者集中简易案件公示显示,北京车和家汽车科技有限公司(简称: 车和家)与湖南三安半导体有限责任公司(简称: 三安半导体)将成立合营企业。针对反垄断需求,公司备注称,在新能源乘用车驱动电机控制器SiC(碳化硅)芯片研发市场中,两方占比均小于5%。以...

助力800V高压平台上车,自主SiC加速抢风口

受制于硅基IGBT的材料极限,目前电动汽车的高压系统普遍采用的是400V电压平台。如果想要将电压平台从400V提升到800V甚至更高的水平,进而提高充电功率、缩短充电时间,就必须要寻找硅基IGBT的替代方案。SiC功率器件正是在这种背景下被推上风口的。相较于传统的硅基材料,SiC由于具备耐高压、耐高温、高频...