2025-04-04 10:23
据外媒报道，荷兰代尔夫特理工大学（Delft University of Technology）的研究人员研发了基于紧凑型倒金字塔结构的三轴霍尔效应（Hall-effect）磁传感器，其在磁场探测方面提升了精度并减少了信号干扰。
期刊《微系统&纳米工程》（Microsystems & Nanoengineering）最近的一篇论文中详细介绍了该款传感器，其将微机电系统（MEMS）与互补金属氧化物半导体（CMOS）技术相结合，突破了磁传感器在汽车、工业及消费电子产品领域中的性能限制。此类传感器在汽车系统、工业自动化和消费电子产品等领域中至关重要，不过此种设计将有望进一步提升其性能。
背景
磁传感器在需要位置传感、动作跟踪和角度测量的技术中发挥着至关重要的作用，霍尔效应传感器因具备出色性能以及可与CMOS技术兼容，在该领域中占据主导地位。此类传感器通常分为两类：垂直霍尔器件（VHD）和平面霍尔器件（PHD），两种都被设计用于探测不同平面内的磁场。
尽管具备诸多优势，但传统霍尔效应传感器在灵敏度和信噪比方面仍面临着挑战。为了克服此类局限，研究人员一直在探索方法，以提升传感器性能的同时，控制器件的尺寸和复杂性。
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