安森美发布垂直氮化镓半导体
据外媒报道,随着人工智能数据中心、电动汽车和其他高能耗应用领域对能源需求的激增,安森美半导体(onsemi)推出垂直氮化镓(vGaN)功率半导体,大大提高功率密度、效率和耐用性。这些突破性的新一代GaN-on-GaN功率半导体采用垂直导电方式,电流可垂直流经化合物半导体,从而实现更高的工作电压和更快的开关...
据外媒报道,随着人工智能数据中心、电动汽车和其他高能耗应用领域对能源需求的激增,安森美半导体(onsemi)推出垂直氮化镓(vGaN)功率半导体,大大提高功率密度、效率和耐用性。这些突破性的新一代GaN-on-GaN功率半导体采用垂直导电方式,电流可垂直流经化合物半导体,从而实现更高的工作电压和更快的开关...
10月31日,安森美宣布推出一项突破性的功率半导体技术--垂直氮化镓(vGaN)功率半导体,这一创新产品在降低能量损耗方面成效显著,为AI和电气化时代树立了在能效、功率密度和耐用性方面的新标杆。图源: 安森美在超高压器件领域,安森美的垂直氮化镓(vGaN)采用GaN-on-GaN技术,实现了电流垂直流过芯片,而非传...
2025年10月30日,浩思动力在2025盖世汽车第七届金辑奖颁奖典礼上荣获"中国汽车新供应链百强"称号,浩思动力子业务集团-极光湾中国研发副院长汪名月受邀出席盛典并代表公司领奖。浩思动力成立于2024年5月,由吉利旗下极光湾科技与雷诺旗下Horse科技联合组建。公司拥有5大研发中心和17家生产基地,全球年销...
近日,雷诺集团全球项目"Tech World Tour"(科技世界探索)首次来到亚洲市场,由雷诺集团首席传播官Christian Stein带队到访浩思动力。浩思动力子业务集团极光湾科技全球CEO王瑞平、浩思动力首席传媒官Helene Carlson等在内的公司管理层与资深技术专家共同接待了雷诺集团欧洲媒体代表团,与来自英国、法国...
10月15日,英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)宣布推出其首款符合汽车电子委员会(Automotive Electronics Council,AEC)汽车应用标准的氮化镓(GaN)晶体管系列。图片来源: 英飞凌英飞凌方面表示,即将推出的CoolGaN™汽车晶体管100 V G1系列已开始提供符合AEC-Q101标准的汽车应用预生产产品系...
本期全球前沿汽车技术动向如下,如需更具体的内容与分析解读,欢迎订购盖世汽车研究院《全球前瞻技术情报》。智能网联Trucking Hub推出Dashcam One™行车记录仪Trucking Hub推出的Dashcam One™是业内首款集成电子记录设备ELD、实时远程信息处理、诊断和AI安全功能的行车记录仪。图片来源: Trucking Hu...
2025年9月8-12日,浩思动力亮相2025年德国慕尼黑IAA车展。作为2024年5月吉利与雷诺新成立的动力合资公司,本次IAA车展是浩思动力欧洲市场首秀。浩思动力此次重点展示覆盖混动系统、增程式、氢能及可替代燃料的全系列新一代动力总成解决方案,并首次全球首展氮化镓增程发电系统、非晶电机等前瞻动力技术...
据外媒报道,高能效电源转换领域高压集成电路供应商Power Integration(PI)宣布推出专为太阳能赛车量身定制的全新参考设计套件,助力37支学生车队备战普利司通世界太阳能挑战赛(Bridgestone World Solar Challenge)。图片来源: Power Integration
近日,浩思动力正式全球首发--氮化镓增程发电系统。以"冰刃"氮化镓功率模块为核心,通过十层扁线与Umini-pin(全新绕组技术)发电机等创新设计,浩思动力全新氮化镓增程发电系统在散热效率、油电转化率、功率密度、空间适配性等方面实现全方位逐个突破,开启新能源汽车高效增程发电的全新阶段。作为系统的...
据外媒报道,先进GaN电力电子解决方案供应商VisIC Technologies和创新软件和硬件解决方案供应商AVL宣布达成新的合作伙伴关系,旨在推进电动汽车市场的高效GaN逆变器技术。此次合作将为汽车原始设备制造商(OEM)提供超越碳化硅(SiC)性能的功率半导体,同时从设备和系统层面降低成本。(图片来源: AVL公司)
9月11日,英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies)宣布已成功开发出全球首个300毫米功率氮化镓(GaN)晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有可扩展大批量生产环境中掌握这项突破性技术的公司。这一突破将有助于大幅推动基于GaN的功率半导体市场。与200毫米晶圆相比,300毫米晶圆上的芯片生产在技术上更先...
据报道,德州仪器正加速将氮化镓(GaN)生产工艺从6英寸向8英寸过渡,以提高产能、获得成本优势。德州仪器韩国总监Ju-Yong Shin表示,公司目前采用6英寸工艺生产氮化镓半导体,美国达拉斯工厂有望在2025年之前过渡到8英寸工艺,日本的会津工厂则正在将硅基8英寸生产线转换为GaN产线。目前GaN 应用主要以外延...
据外媒报道,日本冲电气(OKI)开发出可以承受1800V高压的垂直氮化镓(GaN)晶体管的技术。(图片来源: 冲电气)
据外媒报道,印度科学学院(IISc)的研究人员自主研发出氮化镓(GaN)电源开关,有望用于电动汽车和笔记本电脑的功率转换器以及无线通信等系统。构建开关的整个过程(从材料生长到器件制造和封装)都在IISc的纳米科学与工程中心(CeNSE)内部进行。(图片来源: IISc)
9月19日,化合物半导体晶圆产品及先进材料解决方案供应商IQE宣布与汽车领域的氮化镓(GaN)功率产品供应商VisIC Technologies达成战略合作,以研发用于电动汽车逆变器的D-Mode GaN功率器件。IQE与VisIC Technologies将合作研发200毫米(8")D-Mode GaN功率外延片(epiwafer),该产品将于IQE在英国的工厂进行...
据盖世汽车Seeds报道,企查查信息显示,日前,苏州晶湛半导体有限公司(以下简称"晶湛半导体)发生工商变更,新增合肥建晶股权投资合伙企业(有限合伙)、蔚来资本旗下合肥蔚来产业发展股权投资合伙企业(有限合伙)等为股东,同时公司注册资本由约7459万人民币增至约7691万人民币。蔚来的身影无疑是本轮股权融...
由快充带火的第三代半导体氮化镓(GaN)正以非一般的速度向汽车电子领域拓展,尽管距离GaN大规模上车还为时尚早,但海内外巨头早已扎堆布局,欲享尽此波新能源红利。国内以英诺赛科为代表的GaN器件制造商,正在此条赛道上狂奔。8月16日,英诺赛科官方宣布,截至2023年8月,公司氮化镓芯片出货量成功突破3亿颗...
申请技术: 高效率氮化镓三合一控制器参选领域: 动力总成电气化产品描述: 行业首款满足量产级的氮化镓(GaN)氮化镓三合一总成产品,采用了安世半导体的车规级CCPAK顶部散热的器件。氮化镓控制器采用四并联方案设计,本次展出的氮化镓电机控制器性能参数如下: 1、工作电压范围: 240 - 420VDC 2、峰值功率...
据外媒报道,工程研究人员发明了新型高功率电子设备,比以前的技术更节能。这种装置通过一种以受控方式"掺杂"氮化镓(GaN)的独特技术而实现。(图片来源: 北卡罗来纳州立大学)北卡罗来纳州立大学(North Carolina State University)的前博士生Dolar Khachariya表示: "许多技术都需要进行电能转换,将电能从...
全球汽车供应商马瑞利赛车事业部和都灵理工大学电力电子创新中心 (PEIC) 宣布新的合作,双方联合开发电机驱动中的氮化镓(GaN)电力电子技术。马瑞利赛车业务在为大型赛车锦标赛开发混合动力和电动系统方面拥有丰富的经验, 该合作是双方之前签订的研发合作伙伴框架协议的一部分。该合作旨在设计和样件制...