基于氮化镓（GaN）的高电子迁移率晶体管（HEMT）是一种场效应晶体管（FET），其设计旨在实现极高频率和低噪声工作。因此，它们广泛应用于高功率和高频应用，例如高速无线通信、功率开关器件和功率放大器。
HEMT采用异质结，即两种不同半导体材料（通常是GaN和铝氮化镓（AlGaN））之间的连接。该连接形成一个称为二维电子气（2DEG）的狭窄区域，其中电子具有极高的迁移率，从而带来卓越的高频性能。
氮化铝钪（ScAlN）作为一种新型势垒材料，能够进一步提升GaN HEMT的性能，备受关注。它表现出较大的极化，从而提高了2DEG中的电子密度。此外，其铁电特性使其适合用作铁电HEMT中的铁电栅极材料。
这种栅极能够对2DEG进行动态控制，从而有可能丰富GaN基器件的功能。在GaN上生长ScAlN层的传统方法需要复杂的工艺和较高的加工温度。
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