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TUS取得突破: 利用溅射技术推动高性能ScAlN基晶体管的应用

基于氮化镓(GaN)的高电子迁移率晶体管(HEMT)是一种场效应晶体管(FET),其设计旨在实现极高频率和低噪声工作。因此,它们广泛应用于高功率和高频应用,例如高速无线通信、功率开关器件和功率放大器。

HEMT采用异质结,即两种不同半导体材料(通常是GaN和铝氮化镓(AlGaN))之间的连接。该连接形成一个称为二维电子气(2DEG)的狭窄区域,其中电子具有极高的迁移率,从而带来卓越的高频性能。

氮化铝钪(ScAlN)作为一种新型势垒材料,能够进一步提升GaN HEMT的性能,备受关注。它表现出较大的极化,从而提高了2DEG中的电子密度。此外,其铁电特性使其适合用作铁电HEMT中的铁电栅极材料。

这种栅极能够对2DEG进行动态控制,从而有可能丰富GaN基器件的功能。在GaN上生长ScAlN层的传统方法需要复杂的工艺和较高的加工温度。

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