8月30日，半导体解决方案供应商瑞萨电子公司（Renesas Electronics Corporation）宣布开发新一代Si-IGBT（硅绝缘栅双极晶体管）。该产品体积小且功率损耗低，可用于下一代电动汽车逆变器。
图片来源：瑞萨
根据该公司的计划，2023年上半年，该AE5代IGBT将在瑞萨电子日本Naka工厂的200和300毫米晶圆生产线上量产。2024年上半年，瑞萨电子将开始在其位于日本甲府（Kofu）的新功率半导体300毫米晶圆厂提高产量，以满足市场对功率半导体产品不断增长的需求。
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