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瑞萨电子开发出3nm TCAM技术 适用于汽车SoC

据外媒报道,半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社(Renesas Electronics Corporation)宣布推出基于3nm FinFET工艺制造的可配置三元内容寻址存储器(TCAM)。这款新型TCAM同时具备更高的存储密度、更低的功耗和更强的功能安全性,使其适用于汽车应用。

随着5G和云计算/边缘计算的快速发展,网络流量持续激增,推动了对大型且多样化的TCAM配置(例如256位×4,096个条目)的需求。传统的仅依赖硬宏的扩展方式会因需要更多存储体和中继器而增加外围设备面积,并使时序收敛更加困难,同时也提高了搜索能力。汽车应用还要求更高的安全覆盖率以满足ISO 26262等标准。瑞萨电子通过以下创新来应对这些挑战。

1.集成硬宏和软宏以实现灵活配置

新开发的TCAM硬宏由内存编译器支持,粒度精细——搜索键宽度为8至64位,条目深度为32至128。通过将这些硬宏与工具驱动的软宏自动生成相结合,可以实现更大的配置(例如,256位×4,096个条目),从而提供一个可配置的单一宏,覆盖单个芯片上的各种应用场景。这实现了业界领先的5.27 Mb/mm²内存密度。

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