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Hillcrest开发碳化硅高效逆变器 使温升达到最小化/增加开关频率

据外媒报道,清洁技术创新和电动出行开发公司Hillcrest Energy Technologie欣然宣布,额外的概念验证(PoC)测试结果证明,其碳化硅高效逆变器(SiC HEI)能够在不增加温度的情况下避免开关损耗,并增加开关频率。

SiC HEI概念证明

测试结果证实,该产品能够充分避免因开关损耗产生大量热量,使温升达到最小化。与当前逆变器技术相比,由此产生的温升明显更低,有望显著改进未来的电动汽车动力系统设计。

最新测试结果表明,SiC HEI具有大幅提高功率密度的能力。对于未来的电动汽车和其他电动汽车动力总成而言,有助于降低成本、尺寸和重量。

SiC HEI PoC是一款基于碳化硅半导体的10kW/800V逆变器。选择800V设计,是为了配合当前最新的电动汽车动力总成配置。通过基准测试,比较SiC HEI PoC与传统SiC逆变器的性能。这些测试的参数范围为470 V-870 V,每个电压水平的频率为10 kHz-60 kHz。在每种情况下,SiC HEI PoC都可以在连续工作时,在不增加SiC温度的情况下,成功避免开关损耗,并提高开关频率。

如图所示,与传统SiC逆变器相比,随着开关频率增加(从10 kHz增至60 kHz),SiC HEI PoC显着降低了总系统损耗。

由于HEI所取得的效率持续接近理论极限,需要通过非常精确的测量来量化HEI的效率性能。Hillcrest将不断优化其复杂的控制系统,为商业演示原型提供更高的性能。该公司首席执行官Don Currie表示:“SiC HEI PoC展示了Hillcrest公司专有组合的价值,包括创新电力电子、控制方法和系统设计。”

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